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Anel de gravação de quartzo de alta pureza
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Anel de gravação de quartzo de alta pureza

As câmaras de gravação de plasma seco dependem do controle preciso dos limites ao redor do wafer para manter estáveis ​​​​a densidade do plasma, o fluxo de gás e a distribuição do campo elétrico. Os anéis de gravação de quartzo de alta pureza VeTek Semiconductor são componentes de câmara de grau semicondutor feitos de quartzo fundido desidroxilado. Eles definem a zona de processo na borda do wafer, ajudam a confinar o plasma, suavizam o fluxo de gás e protegem a periferia do wafer, suportando taxas de gravação mais uniformes e perfis mais limpos em wafers de silício, SiC, GaN e safira de 2 a 12 polegadas.

1.Principais recursos e vantagens

• Quartzo fundido desidroxilado de grau semicondutor com SiO₂ ≥ 99,999% e impurezas metálicas rigorosamente controladas

• Operação contínua estável até 1.100 °C, com capacidade de curto prazo perto de 1.200 °C

• Forte resistência a produtos químicos de ataque à base de flúor e cloro e exposição a plasma de alta energia

• Baixa expansão térmica e bom desempenho de choque térmico sob repetidos ciclos de temperatura da câmara

• Desgaseificação de baixo vácuo para proteger a pressão da base da câmara e a composição do gás do processo

• Controle dimensional em nível de mícron com superfícies de contato polidas para ajuste consistente da câmara e definição de limites de plasma

• Projetos configuráveis: anéis planos, anéis de gravação escalonados, anéis de localização/retenção e perfis totalmente personalizados para as principais plataformas de ferramentas de gravação

2.Aplicações Típicas

Os anéis de gravação de quartzo de alta pureza são usados ​​em câmaras de processo de gravação de plasma seco para:

• Etapas de gravação de plasma de dispositivo lógico e de memória

• Processos de gravação de dispositivos de energia SiC e GaN

• Gravação de estrutura de alta proporção

• Processamento de plasma de substrato óptico e semicondutor composto

• Gravura a plasma de embalagens avançadas e etapas de limpeza relacionadas

• Ferramentas de gravação de produção e laboratório RIE/ICP

3.Principais parâmetros técnicos

• Material: quartzo fundido desidroxilado de grau semicondutor, SiO₂ ≥ 99,999%

• Compatibilidade com wafer: silício de 2/4/6/8/12 polegadas, SiC, GaN e safira

• Temperatura de operação: −20 °C a 1100 °C contínuo; pico de curto prazo aproximadamente 1200 °C

• Funções primárias: confinamento de borda de plasma, orientação de fluxo de gás, proteção de borda e isolamento de câmara

• Qualidade de usinagem: tolerâncias em nível de mícron, superfícies polidas, arestas controladas e acabamento limpo

• Opções de estrutura: anel plano, anel de gravação escalonado, anel de localização/retenção e geometrias personalizadas

• Personalização: diâmetro externo/interno, espessura, altura do degrau, recursos de localização, chanfros e detalhes de interface por desenho

4.Por que escolher anéis de gravação de quartzo de alta pureza VeTek?

A VeTek Semiconductor fornece hardware de quartzo de processo crítico para ferramentas térmicas e de gravação. Para anéis de gravação, o foco está em:

• Pureza do material e limpeza da superfície adequadas para ambientes avançados de ataque a seco

• Precisão dimensional que suporta controle de limite de plasma estável e ajuste de câmara repetível

• Flexibilidade de design para substituição no estilo OEM e interfaces de câmara totalmente personalizadas

• Uma linha completa de componentes de quartzo que também inclui transportadores de wafer, tubos de forno, barcos e peças de processo relacionadas

Ao combinar alta pureza, durabilidade do plasma e controle rígido de geometria, os anéis de gravação de quartzo de alta pureza VeTek ajudam a melhorar a uniformidade de gravação em wafer, reduzir defeitos relacionados às bordas e suportar ciclos de produção mais longos e mais estáveis ​​em ferramentas de gravação a plasma seco.

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