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Este artigo apresenta os mais recentes desenvolvimentos no recém-projetado reator CVD de parede quente PE1O8 da empresa italiana LPE e sua capacidade de realizar epitaxia 4H-SiC uniforme em SiC de 200 mm.

Com a crescente demanda por materiais de SiC em eletrônica de potência, optoeletrônica e outros campos, o desenvolvimento da tecnologia de crescimento de cristal único de SiC se tornará uma área-chave de inovação científica e tecnológica. Como núcleo do equipamento de crescimento de cristal único de SiC, o design do campo térmico continuará a receber ampla atenção e pesquisas aprofundadas.

Através do progresso tecnológico contínuo e da pesquisa aprofundada de mecanismos, espera-se que a tecnologia heteroepitaxial 3C-SiC desempenhe um papel mais importante na indústria de semicondutores e promova o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alta eficiência.

ALD espacial, deposição de camada atômica espacialmente isolada. A bolacha move-se entre diferentes posições e é exposta a diferentes precursores em cada posição. A figura abaixo é uma comparação entre ALD tradicional e ALD espacialmente isolada.