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Anel de foco para gravar
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Anel de foco para gravar

O anel de foco para a gravação é o componente principal para garantir a precisão e a estabilidade do processo. Esses componentes são montados com precisão em uma câmara de vácuo para obter usinagem uniforme de estruturas em nanoescala na superfície da wafer através do controle preciso da distribuição plasmática, temperatura da borda e uniformidade do campo elétrico.

Os anéis de gravação de silício monocristalino são componentes essenciais nos processos de gravação semicondutores, mantendo a estabilidade do ambiente plasmático, protegendo equipamentos e bolachas, otimizando a utilização de recursos e adaptando os requisitos avançados de processo. Seu desempenho afeta diretamente o rendimento e o custo da fabricação de chips.


O anel de foco gravado, o eletrodo e o etc (controlador de temperatura da borda) são os principais consumíveis para garantir a uniformidade do plasma, o controle de temperatura e a repetibilidade do processo. Esses componentes são montados com precisão na câmara de vácuo da DCV, gravura e equipamentos de filme e determinam diretamente a precisão e o rendimento da gravação de borda ao centro da bolacha.


Em resposta à demanda rigorosa por propriedades materiais em processos de fabricação de ponta, o veteksemi inova usando o silício monocristalino de alta pureza com uma resistividade de 10-20Ω · cm para fabricar anéis de foco e apoiar consumíveis. Através da otimização colaborativa da ciência de materiais, design elétrico e termodinâmica, o veteksemi é capaz de fabricar anéis de foco e apoiar consumíveis. Superam abrangentes soluções tradicionais de quartzo para obter melhorias inovadoras na longevidade, precisão e custo -efetividade.


Focus ring for etching diagram


Comparação de material central e otimização de resistividade

Silício monocristalino vs. Quartzo


Projeto
Anel de foco em silício monocristalino (10-20 Ω · cm)
Anel de foco de quartzo
Resistência à corrosão plasmática
Vida 5000-8000 bolachas (processo baseado em fluorina/cloro)
Vitalício 1500-2000 wafers
Condutividade térmica
149 w/m · k (dissipação rápida de calor, flutuação Δt ± 2 ℃)
1,4w /m · k (flutuação Δt ± 10 ℃)
Coeficiente de expansão térmica
2,6 × 10⁻⁶/k (deformação zero combinada com wafer)
0,55 × 10⁻⁶/k (deslocamento fácil)
Perda dielétrica
TanΔ <0,001 (controle preciso do campo elétrico)
TanΔ ~ 0,0001 (distorção do campo elétrico)
Rugosidade da superfície
RA <0,1μm (Padrão de Limpeza da Classe 10)
RA <0,5μm (alto risco de partícula)


Vantagem do núcleo do produtoe


1. Precisão do processo de nível atômico

Otimização de resistividade + polimento de ultra-precisão (RA <0,1μM) elimina a contaminação por micro-descarrega e partículas para atender aos padrões semi-F47.

A perda dielétrica (tanΔ <0,001) é altamente correspondente ao ambiente dielétrico de wafer, evitando distorção do campo elétrico de borda e suportando a gravação 3D NAND 89,5 ° ± 0,3 ° de gravação profunda vertical.


2. Compatibilidade inteligente do sistema

Integrado ao módulo de controle de temperatura da borda etc, o fluxo de ar de resfriamento é ajustado dinamicamente pelo termopar e algoritmo AI para compensar a deriva térmica da câmara.

Apoie a rede de correspondência de RF personalizada, adequada para máquinas convencionais, como as fontes de plasma AMAT Centura, Lam Research Kiyo e ICP/CCP.


3. Custo-efetividade abrangente

A vida útil do silício monocristalino é 275% maior que o de quartzo, o ciclo de manutenção é superior a 3.000 horas e o custo abrangente de propriedade (TCO) é reduzido em 30%.

Serviço de personalização de gradiente de resistividade (5-100Ω · cm), combinando com precisão a janela do processo do cliente (como a gravação de material de gap de banda larga GaN/SiC).


O efeito da resistividade


Projeto
Anel de foco em silício monocristalino (10-20 Ω · cm)
Alta Resistência Monocristalina Silício (> 50 Ω · cm)
Anel de foco de quartzo
Pureza
> 99.9999%
> 99.9999%
> 99,99%
Vida de corrosão (contagem de bolas)
5000-8000
3000-5000
1500-2000
Estabilidade de choque térmico
Δt> 500 ℃/s
Δt> 300 ℃/s
Δt <200 ℃/s
Densidade de corrente de vazamento
<1 μA/cm²
/ /
O rendimento de bolacha é aumentado para
+1,2%~ 1,8%
+0,3%~ 0,7%
Valor base

Termos comerciais do produto


Quantidade mínima do pedido
1 conjunto
Preço
Contato para cotação personalizada
Detalhes da embalagem
Pacote de exportação padrão
Prazo de entrega
Tempo de entrega: 30-35 dias após a confirmação do pedido
Termos de pagamento
T/T.
Capacidade de fornecimento
600 conjuntos/mês


Focus ring for etching working diagram

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