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Os revestimentos de tantalum (TAC) são amplamente utilizados no campo de semicondutores, principalmente para componentes do reator de crescimento epitaxial, componentes-chave de crescimento de cristal único, componentes industriais de alta temperatura, resistência ao sistema MOCVD e portadores de resistência ao sistema de alta temperatura.

Durante o processo de crescimento epitaxial do SiC, pode ocorrer falha na suspensão de grafite revestida com SiC. Este artigo conduz uma análise rigorosa do fenômeno de falha da suspensão de grafite revestida com SiC, que inclui principalmente dois fatores: falha do gás epitaxial de SiC e falha do revestimento de SiC.

Este artigo discute principalmente as respectivas vantagens e diferenças do processo de Epitaxia por Feixe Molecular e tecnologias de deposição de vapor químico metal-orgânico.