Notícias da indústria

Através do progresso tecnológico contínuo e da pesquisa aprofundada de mecanismos, espera-se que a tecnologia heteroepitaxial 3C-SiC desempenhe um papel mais importante na indústria de semicondutores e promova o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alta eficiência.

ALD espacial, deposição de camada atômica espacialmente isolada. A bolacha move-se entre diferentes posições e é exposta a diferentes precursores em cada posição. A figura abaixo é uma comparação entre ALD tradicional e ALD espacialmente isolada.

Recentemente, o Instituto de Pesquisa Alemão Fraunhofer IISB fez um avanço na pesquisa e desenvolvimento da tecnologia de revestimento de carboneto de tântalo e desenvolveu uma solução de revestimento de pulverização mais flexível e ambientalmente amigável que a solução de deposição de CVD e foi comercializada.